ストラトのアッセンブリーを作ります。　3枚まとめて作るのでひとりで流れ作業です。

ピックアップも作ります。

あとはピックアップを結線したら完成です。

改造前が上の図です。　一昨日はこのゲインアンプのところをFET2段直結にしてファズ化してしまい失敗に終わりました。

The Chipもゲインアンプにすることにします。　ここのゲインを上げればダイオードクリッパーで歪むのでファズ化しませんね。　で、増設するアンプは歪み部分よりあとに持っていってトレブルブースターにします。

配線を解体します。

スペースの都合上、もとから付いていた基板と一昨日製作した基板を小さくカットしました。

建て増しに継ぐ建て増しで、配線が大変なことになっています。　これ以上配線をきれいにしようがありません。　したければ最初から作り直すことになります。

バシャーーーっと耳をつんざくようなえげつない歪みができました。

見た目はこうなんですけどね（笑）

歪みの前段に入れているブースターを2段直結にしたらどうなるのか調べてみたいので基板を作ります。

基板パターンを考えて透明な材質のものでテンプレートを作ります。

生基板をカットします。

穴あけをします。

基板パターンをレジストペンで描きます。　この時にパターンを裏側から見られると便利なので、透明なテンプレートを作っています。

エッチング液に漬け込みます。

レジストを拭き取ります。　ブレーキクリーナーで落とせます。

背の低い部品から順番にハンダ付けしていきましょう。

完成した基板。

取り付けてみます。

トレブルブースターのコンデンサは1μFまで増やせるようです。　効く周波数が下がることでよく効くように聞こえるはずです。

この部品ですね。

で、音を出してみてどうだったかというと、全くダメでした。　ダイオードクリッパーの歪み段に入る前にゲインが上がりすぎて、FET２段直結増幅のところでファズとして機能するだけでダイオードクリッパー部分がハイゲインになりません。

考え方を根本から変えないといけないようです。

以前作った歪みエフェクターです。　　ゲインが足りないので増幅段をもうひとつ追加することになりました。

以前の資料を見返しつつ、どうなっているのかを思い出しています。

年末に作ったバリトーン回路につけたツマミが良かったので、以前製作したものにも付けてみようということになりまして、お預かりしました。

半固定抵抗を接着します。

これ以外にも抵抗を1本付けました。

これでバリトーンのミッドカット具合を微調整できるようになりました。　音量が下がりすぎないので使いやすくなります。